DataSheet.in

2SC1730 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN RF Transistor - INCHANGE

भाग संख्या 2SC1730
समारोह Silicon NPN RF Transistor
मैन्युफैक्चरर्स INCHANGE 
लोगो INCHANGE लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC1730?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC1730 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor
isc RF Product Specification
2SC1730
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10mA ; IB= 1mA
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 12V; IE= 0
0.5 V
0.1 μA
hFE DC Current Gain
IC= 5mA ; VCE= 10V
40 180
fT Current-Gain—Bandwidth Product IE= -5mA ; VCE= 10V
800 1100
MHz
COB Output Capacitance
IE= 0 ; VCB= 10V; f= 1.0MHz
1.5 pF
rbb’ • CC Base Time Constant
VCE= 10V,IE = -5mA,f = 31.9 MHz
10 15 ps
‹ hFE Classifications
Marking
M
L
K
hFE 40-80 60-120 90-180
isc Websitewww.iscsemi.cn
2

विन्यास 2 पेज
डाउनलोड[ 2SC1730 Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC1730RF-IF High Frequency TransistorsMicro Electronics
Micro Electronics
2SC1730Silicon NPN RF TransistorINCHANGE
INCHANGE


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English