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3DD3020A6 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD3020A6
समारोह Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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3DD3020A6 pdf
华润华晶分立器件
4 电特性
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
R 3DD3020A6
额定值
800
450
9
1.5
1.25
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
W
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比
的静态值
小 电 流 下 hFE1 与 大 电 流 下
hFE2比值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
贮存时间
上升时间
下降时间
ICBO
ICEO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFEa
hFE1/
hFE2
VCE
a
sat
VBE
a
sat
ts
tr
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
VCB=800V, IE=0
VCE=420V, IB=B 0
VEB=9V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=0.2A
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=0.5A, IB=B 0.1A
IC=0.5A, IB=B 0.1A
UI9600IC=0.1A
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
规范值
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
450
9
15 35
0.75 0.9
0.4
1
2
5
0.8
1.5
5
1
1
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
μs
μs
μs
MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
2页 共5
2010

विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD3020A3Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplificationHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3020A3-HSilicon NPN bipolar transistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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