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BL2301 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - GME

भाग संख्या BL2301
समारोह P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
मैन्युफैक्चरर्स GME 
लोगो GME लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=BL2301?> डेटा पत्रक पीडीएफ

BL2301 pdf
s Production specification
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
BL2301
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Parameter
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Symbol
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
Test conditions
VGS=0V,ID=-250μA
VDS=VGS, ID=-250μA
VDS=0V, VGS=8V
VDS=0V, VGS=-8V
VDS=-20V, VGS=0V
MIN
-20
-0.4
-
-
-
TYP
-
-0.6
-
-
-
Drain-Source on-resistance
RDS(ON)
VGS=-4.5V,ID=-2.8A
VGS=-2.5V,ID=-2.0A
- 90
- 110
Diode forward voltage
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Gate Resistance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
VSD VGS=0V,IS=1A
Qg
- -0.7
- 7.2
Qgs VDS=-6V,VGS=-4.5V,ID=-2.8A - 2.2
Qgd - 1.2
Rg
CISS
COSS
VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz
VDS=-15V,VGS=0V,f=1MHz
- 7.5
- 480
- 46
CRSS
tD(ON)
tR
tD(OFF)
tR
VDD =-6V,RL = 6,
VGEN= -4.5V,RGEN= 6
- 10
- 38
- 25
- 43
-5
MAX
-
-1
100
-100
-1
110
150
-1.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
UNIT
V
nA
μA
m
V
nC
pF
ns
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
C229
Rev.A
www.gmicroelec.com
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
BL2300N-Channel Power MosfetGME
GME
BL2301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGME
GME


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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