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BL2302 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - GME

भाग संख्या BL2302
समारोह N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
मैन्युफैक्चरर्स GME 
लोगो GME लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=BL2302?> डेटा पत्रक पीडीएफ

BL2302 pdf
Production specification
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
BL2302
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Parameter
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-state Drain Current
Symbol
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
ID(On)
Test conditions
VGS=0V,ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VDS=0V, VGS=8V
VDS=0V, VGS=-8V
VDS=20V, VGS=0V
VDS=20V,VGS=0V,Tj=55
VGS=4.5V, VDS5.0V
VGS=2.5V, VDS5.0V
MIN TYP MAX UNIT
20 -
-
0.6 0.9 1.2
V
-
-
-
-
100
-100
nA
- - 1 μA
- - 10
6
4A
Drain-Source on-resistance
Diode forward voltage
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
RDS(ON)
VGS=4.5V,ID=3.6A
VGS=2.5V,ID=3.1A
VSD
Qg
Qgs
Qgd
CISS
COSS
CRSS
tD(ON)
tR
tD(OFF)
tR
VGS=0V,IS=1A
VDS=10V,VGS=4.5V,ID=3.6A
VDS=10V,VGS=0V,f=1.0MHz
VDD = 10V, ID= 3.6A,
RL = 2.8, VGEN= 4.5V,
RGEN= 6
-
-
55
65
85
115
m
- 0.75 1.2 V
-9-
- 2.2 - nC
-3-
- 350 -
- 100 -
pF
- 90 -
-9-
-
-
23
38
-
-
ns
-3-
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
C217
Rev.A
www.gmicroelec.com
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
BL2300N-Channel Power MosfetGME
GME
BL2301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGME
GME


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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