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BD633 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - INCHANGE

भाग संख्या BD633
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स INCHANGE 
लोगो INCHANGE लोगो 
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1 Page
		
<?=BD633?> डेटा पत्रक पीडीएफ

BD633 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BD633
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; IB= 0
45 V
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= 0.1mA; IE= 0
45 V
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 1mA; IC= 0
5V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB=B 0.1A
0.6 V
VBE(on) Base-Emitter On Voltage
IC= 1A; VCE= 2V
1.3 V
ICES Collector Cutoff Current
i.cnhFE-1
DC Current Gain
www.iscsemhFE-2
DC Current Gain
VCE= 45V; VBE= 0
IC= 25mA; VCE= 2V
IC= 1A; VCE= 2V
0.2 mA
40
25
isc Websitewww.iscsemi.cn
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
BD63000MUV3-phase brushless motor pre-driverROHM
ROHM
BD63001AMUVThree-Phase Brushless Motor PredriverROHM
ROHM


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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