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3DD2539 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Bipolar Transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD2539
समारोह Silicon NPN Bipolar Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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<?=3DD2539?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD2539 pdf
华润华晶分立器件
4 电特性
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
R 3DD2539
额定值
1500
600
5
7
3.5
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
W
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
阻尼二极管正向压降
存储时间
下降时间
ICBO
IEBO
VCBO
VEBO
hFE1a
hFE2a
VCE
a
sat
VBE
a
sat
VF
tS
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
VCB=1500V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=1mA
IE=0.2A
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=5A
IC=5A, IB=1A
IC=5A, IB=1A
IF=5A
VCC=200V, IC=5A
2IB1= -IB2=2A
VCE=10V, IC=0.1A
f=0.3MHz
规范值
最小 典型 最大
1
66 200
1500
5
8 30
59
1.5 5
1 1.3
2
25
0.3 0.6
2
单位
mA
mA
V
V
V
V
V
μs
μs
MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
2页 共5
2008

विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD2539Silicon NPN Bipolar TransistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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