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J659 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - P-Channel Silicon MOSFET - Sanyo

भाग संख्या J659
समारोह P-Channel Silicon MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स Sanyo 
लोगो Sanyo लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=J659?> डेटा पत्रक पीडीएफ

J659 pdf
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Package Dimensions
unit : mm
7513-002
10.2
2SJ659
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--14A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--14A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--14A
IS=--14A, VGS=0V
min
Package Dimensions
unit : mm
7001-003
4.5
1.3
10.2
Ratings
typ
1020
110
76
10
180
80
100
21
3.8
4.5
--1.0
max
--1.2
Unit
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
4.5
1.3
1.2
0.8 0.4
123
2.55 2.55
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.1%
G
VDD= --30V
ID= --7A
RL=4.29
D VOUT
2SJ659
P.G 50S
12 3
0.8
1.2
2.55 2.55
2.55 2.55
0 to 0.3
0.4
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP-FD
Avalanche Resistance Test Circuit
0V
--10V
50
RG
50
L
DUT
VDD
No.8584-2/4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
J652 2SJ652Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
J654P-Channl Silicon MOSFETSanyo
Sanyo


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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