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डेटा पत्रक - HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR - JILIN SINO-MICROELECTRONICS

भाग संख्या 3DD13003
समारोह HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स JILIN SINO-MICROELECTRONICS 
लोगो JILIN SINO-MICROELECTRONICS लोगो 
पूर्व दर्शन
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<?=3DD13003?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD13003 pdf
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
3DD13003
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter VoltageVBE=0VCES
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter VoltageIB=0VCEO
发射极基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
最大集电极直流电流
Collector CurrentDC
IC
最大集电极脉冲电流
Collector Currentpulse
ICP
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126(S))
PC
最高结温
Junction Temperature
Tj
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
Value
700
400
9
1.5
3.0
20
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
A
W
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
单位
Parameter
Tests conditions
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
V(BR)CBO
IC=1mA,IB=0
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
ICBO VCB=700V, IE=0
ICEO VCE=400V,IB=0
IEBO VEB=7V, IC=0
hFE VCE=10V, IC=500mA
VCE(sat)
IC=0.5A, IB=0.1A
IC=1.5A, IB=0.3A
VBE(sat)
IC=1.0A, IB=0.2A
tf VCC=24V IC=2.0A,IB1=-IB2=0.4A
ts VCC=24V IC=2.0A,IB1=-IB2=0.4A
fT VCE=10V, Ic=0.1A
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Value(min)
400
700
9
-
-
-
8
-
-
-
-
-
4
Value(typ) Value(max)
460 -
920 -
13 -
- 100
- 50
- 10
20 40
0.2 0.8
0.3 3.0
0.9 1.0
- 0.7
-4
--
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
-
V
V
V
μS
μS
MHz
符 号 最小值 最大值 单 位
Parameter
结到管壳的热阻 TO-126(S)
Thermal Resistance Junction Case TO-126(S)
Symbol Value(min) Value(max)
Rth(j-c)
- 6.25
Unit
/W
版本:201101G
2/5
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD13001High Voltage Fast Switching NPN Power TransistorGME
GME
3DD13001TRANSISTORJiangsu Changjiang Electronics
Jiangsu Changjiang Electronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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