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2SC3356 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN RF Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SC3356
समारोह Silicon NPN RF Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC3356?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC3356 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor
isc RF Product Specification
2SC3356
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 10V; IE= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB= 1V; IC= 0
hFE DC Current Gain
IC= 20mA ; VCE= 10V
fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 20mA ; VCE= 10V
Cre Feed-Back Capacitance
S21e2 Insertion Power Gain
NF Noise Figure
IE= 0 ; VCB= 10V;f= 1.0MHz
IC= 20mA ; VCE= 10V;f= 1.0GHz
IC= 7mA ; VCE= 10V;f= 1.0GHz
MIN TYP. MAX UNIT
1.0 μA
1.0 μA
50 300
7 GHz
0.55 1.0 pF
11.5 dB
1.1 2.0 dB
‹ hFE Classification
Class
Q
R
S
Marking R23 R24 R25
hFE 50-100 80-160 125-250
isc Websitewww.iscsemi.cn
2
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC3352SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SC3352NPN TransistorPanasonic
Panasonic


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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