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2SA1259 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors - Sanyo Semicon Device

भाग संख्या 2SA1259
समारोह PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors
मैन्युफैक्चरर्स Sanyo Semicon Device 
लोगो Sanyo Semicon Device लोगो 
पूर्व दर्शन
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<?=2SA1259?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1259 pdf
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Parameter
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Rise Time
Storage Time
Fall Time
2SA1259/2SC3145
Symbol
Conditions
V(BR)CBO
V(BR)CEO
ton
IC=(–)5mA, IE=0
IC=(–)50mA, RBE=
See specified Test Circuit
tstg See specified Test Circuit
tf See specified Test Circuit
Ratings
min typ
(–)70
(–)60
0.3
(1.3)
1.2
0.2
max
Unit
V
V
µs
µs
µs
Specified Test Circuit (for PNP, the polarity is reversed)
PW=50µs, Duty Cycle1%
500IB1=--500IB2=IC=20A
INPUT RB
VR
50
+
100µF
VBE=--5V
OUTPUT
TUT
RL
10
+
470µF
VCC=20V
Electrical Connection
C
B
6k200
2SA1259
E
C
B
6k200
2SC3145
E
7
2SA1259
From top
6 --1000µA
--900µA
5 --800µA
--700µA
4 --600µA
--500µA
3
2
IC -- VCE
--400µA
--300µA
1 --200µA
IB=0
00 1 2 3 4 5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR03157
IC -- VBE
--6
2SA1259
Tc=25°C
--5 VCE=--2V
--4
--3
--2
--1
-0-0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0 --2.2 --2.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V ITR03159
7
From top
1mA
6 500µA
450µA
5 400µA
350µA
4 300µA
250µA
200µA
3
IC -- VCE
2SC3145
2
1
IB=0
00 1 2 3 4 5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR03158
IC -- VBE
6
2SC3145
Tc=25°C
5 VCE=2V
4
3
2
1
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V ITR03160
No.1059-2/4

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1250SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SA1250POWER TRANSISTORInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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