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डेटा पत्रक - PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors - Sanyo Semicon Device

भाग संख्या 2SA1258
समारोह PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors
मैन्युफैक्चरर्स Sanyo Semicon Device 
लोगो Sanyo Semicon Device लोगो 
पूर्व दर्शन
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<?=2SA1258?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1258 pdf
2SA1258/2SC3144
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Parameter
Collector-to-Base Saturation Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Rise Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
V(BR)CBO
V(BR)CEO
ton
IC=(–)5mA, IE=0
IC=(–)50mA, RBE=
See specified Test Circuit
tstg See specified Test Circuit
tf See specified Test Circuit
Specified Test Circuit (for PNP, the polarity is reversed)
PW=50µs, Duty Cycle1%
500IB1=--500IB2=IC=1A
INPUT RB
VR
50
+
100µF
VBE=--5V
TUT
RL
20
+
470µF
VCC=20V
Electrical Connection
C
B
6k200
2SA1258
E
C
B
6k200
2SC3144
E
Ratings
min typ
(–)70
(–)60
0.3
(1.3)
1.2
0.2
max
Unit
V
V
µs
µs
µs
--3
2SA1258
From top
--1000µA
--900µA
--800µA
--2 --700µA
--600µA
--500µA
--1
IC -- VCE
--400µA
--300µA
--200µA
00
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
-0-0.4
IB=0
--1 --2 --3 --4 --5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR03143
IC -- VBE
2SA1258
Tc=25°C
VCE=--2V
--0.8 --1.2 --1.6 --2.0 --2.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V ITR03145
3
2SC3144
From top
1000µA
900µA
800µA
2 700µA
IC -- VCE
600µA
500µA
400µA
300µA
1 200µA
IB=0
0
01 2345
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR03144
IC -- VBE
3.0
2SC3144
Tc=25°C
2.5 VCE=2V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.4
0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V ITR03146
No.1058-2/4

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1250SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SA1250POWER TRANSISTORInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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