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R6020ANX डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Drive Nch MOSFET - Rohm

भाग संख्या R6020ANX
समारोह Drive Nch MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स Rohm 
लोगो Rohm लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=R6020ANX?> डेटा पत्रक पीडीएफ

R6020ANX pdf
Transistors
zThermal resistance
Parameter
Channel to case
Symbol
Rth(ch-c)
Limits
2.5
Unit
°C/W
R6020ANX
zElectrical characteristics (Ta=25qC)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Gate-source leakage
IGSS
− ±100 nA VGS30V, VDS=0V
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS 600
V ID=1mA, VGS=0V
Zero gate voltage drain current IDSS
100 μA VDS=600V, VGS=0V
Gate threshold voltage
VGS(th)
2.5
4.5
V VDS=10V, ID=1mA
Static drain-source on-state resistance
RDS(on)
0.17 0.22
Ω ID=10A, VGS=10V
Forward transfer admittance
| Yfs | 7
−−
S ID=10A, VDS=10V
Input capacitance
Ciss 2040 pF VDS=25V
Output capacitance
Coss 1660 pF VGS=0V
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
70
40
60
230
70
65
10
25
pF f=1MHz
ns ID=10A, VDD 300V
ns VGS=10V
ns RL=30Ω
ns RG=10Ω
nC VDD 300V
ID=20A
nC VGS=10V
nC RL=15Ω / RG=10Ω
Pulsed
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zBody diode characteristics (Source-drain) (Ta=25qC)
Parameter
Forward voltage
Pulsed
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VSD
1.5 V IS= 10A, VGS=0V
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विन्यास 6 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
R6020ANJDrive Nch MOSFETRohm
Rohm
R6020ANXDrive Nch MOSFETRohm
Rohm


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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