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2SA882 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA882
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA882?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA882 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-30mA ;IB=0
VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=-3A; IB=-0.3A
VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=-7A ;IB=B -1.5A
VBE Base-emitter on voltage
IC=-3A ; VCE=-4V
ICBO Collector cut-off current
VCE=-130V; IB=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=-5V; IC=0
hFE-1
DC current gain
IC=-1A ; VCE=-4V
hFE-2
DC current gain
IC=-3A ; VCE=-4V
Product Specification
2SA882
MIN TYP. MAX UNIT
-130
V
-1.0 V
-3.0 V
-1.6 V
-0.1 mA
-0.1 mA
40
20
2

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA880SI PNP EPITAXIAL PLANARPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SA881(2SA1560 / 2SA881) Epitaxial Planar PNP Silicon TransistorsRohm
Rohm


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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