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2SA886 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA886
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA886?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA886 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
Product Specification
2SA886
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-2mA;IB=0
V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA ;IE=0
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1.5A ;IB=-0.15A
VBEsat Base-emitter saturation voltage
IC=-2A ;IB=B -0.2A
ICBO Collector cut-off current
VCB=-20V; IE=0
ICEO Collector cut-off current
VCE=-10V; IB=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=-5V; IC=0
hFE DC current gain
IC=-1A ; VCE=-5V
COB Output capacitance
IE=0 ; VCB=-20V;f=1MHz
fT Transition frequency
IC=0.5A ; VCB=-5V,f=200MHz
‹ hFE Classifications
QR
80-160
120-220
MIN TYP. MAX UNIT
-40 V
-50 V
-1.0 V
-1.5 V
-1 μA
-100 μA
-10 μA
80 220
45 pF
150 MHz
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA880SI PNP EPITAXIAL PLANARPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SA881(2SA1560 / 2SA881) Epitaxial Planar PNP Silicon TransistorsRohm
Rohm


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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