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2SA914 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA914
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA914?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA914 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-0.1mA;IB=0
V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage
IE=-10μA ;IC=0
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-30mA ;IB=-3mA
ICBO Collector cut-off current
IEBO Emitter cut-off current
hFE DC current gain
VCB=-100V; IE=0
VEB=-5V; IC=0
IC=-10mA ; VCE=-5V
COB Output capacitance
IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz
fT Transition frequency
IE=10mA ; VCB=-10V
‹ hFE Classifications
QRS
T
90-155 130-220 185-330 260-450
Product Specification
2SA914
MIN TYP. MAX UNIT
-150
V
-5 V
-1.0 V
-1 μA
-1 μA
90 450
5 pF
200 MHz
2

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA910PNP TransistorTIP
TIP
2SA912SI PNP EPITAXIAL PLANARETC
ETC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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