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2SA958 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA958
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA958?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA958 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEO(BR)
Collector-emitter
breakdown voltage
2SA957
2SA958
IC=-25mA ,IB=0
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-0.7A; IB=-0.07A
ICBO
Collector
cut-off current
2SA957 VCB=-150V; IE=0
2SA958 VCB=-200V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
hFE DC current gain
fT Transition frequency
Switching times resistive load
VEB=-6V; IC=0
IC=-0.7A ; VCE=-10V
IC=-0.2A ; VCE=-12V
tr Rise time
ts Storage time
tf Fall time
IC=-1.0A IB1=- IB2=-0.1A
RL=20Ω;VCC=-20V
Product Specification
2SA957 2SA958
MIN TYP. MAX UNIT
-150
-200
V
-1.5 V
-100 μA
-1.0 mA
40
20 MHz
0.4 μs
1.5 μs
0.5 μs
2

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA950TRANSISTOR (AUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SA950PNP Plastic Encapsulated TransistorSeCoS
SeCoS


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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