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2SA1209 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA1209
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA1209?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1209 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-50mA; IB=-5mA
ICBO Collector cut-off current
VCB=-80V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=-4V; IC=0
hFE DC current gain
IC=-10mA ; VCE=-5V
fT Transition frequency
IC=-10mA ; VCE=-10V
Cob Output capacitance
IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz
Switching times resistive load
ton Turn-on time
ts Storage time
IC=10mA IB1=-IB2=1mA
tf Fall time
‹ hFE Classifications
RS
T
100-200 140-280 200-400
Product Specification
2SA1209
MIN TYP. MAX UNIT
-0.4 V
-0.1 μA
-0.1 μA
100 400
150 MHz
4.0 pF
0.1 μs
1.5 μs
0.1 μs
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1200SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SA1200PNP TransistorsKexin
Kexin


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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