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2SA1215 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA1215
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA1215?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1215 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
Product Specification
2SA1215
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEO
Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ; IB=B 0
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A ;IB=B -0.5A
ICBO Collector cut-off current
VCB=-160V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=-5V; IC=0
hFE DC current gain
IC=-5A ; VCE=-4V
Cob Output capacitance
IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz
fT Transition frequency
IC=-2A ; VCE=-12V
Switching times
ton Turn-on time
ts Storage time
tf Fall time
IC=-5A;RL=12Ω
IB1=-IB2=-0.5A
VCC=-60V
MIN TYP. MAX UNIT
-160
V
-2.0 V
-100
-100
μA
μA
50 180
400 pF
50 MHz
0.25 μs
0.85 μs
0.20 μs
‹ hFE classifications
OP
50-100
70-140
Y
90-180
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1210Epitaxial Planar Silicon TransistorSanyo
Sanyo
2SA1213Silicon PNP Epitaxial Type TransistorToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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