DataSheet.in

2SA1217 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA1217
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA1217?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1217 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA ;IB=0
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2.0A; IB=-0.2A
VBE Base-emitter on voltage
IC=-0.5A ; VCE=-2V
ICBO Collector cut-off current
VCB=-40V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=-5V; IC=0
hFE-1
DC current gain
IC=-0.5A ; VCE=-2V
hFE-2
DC current gain
IC=-2.5A ; VCE=-2V
fT Transition frequency
IC=-0.5A ; VCE=-2V
COB Collector output capacitance
f=1MHz ; VCB=-10V;IE=0
‹ hFE-1 Classifications
OY
80-160
120-240
Product Specification
2SA1217
MIN TYP. MAX UNIT
-40 V
-0.8 V
-1.0 V
-0.1 μA
-0.1 μA
80 240
25
100 MHz
35 pF
2

विन्यास 4 पेज
डाउनलोड[ 2SA1217 Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1210Epitaxial Planar Silicon TransistorSanyo
Sanyo
2SA1213Silicon PNP Epitaxial Type TransistorToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English