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2SA1232 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA1232
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA1232?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1232 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.5A
VBEsat Base-emitter saturation voltage
IC=-5A; IB=-0.5A
ICBO Collector cut-off current
VCB=-130V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=-3V; IC=0
hFE-1
DC current gain
IC=-2A ; VCE=-5V
hFE-2
DC current gain
IC=-5A ; VCE=-5V
Cob Output capacitance
IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz
fT Transition frequency
IC=-1A ; VCE=-5V
‹ hFE-1 Classifications
RQP
60-120 100-200 160-320
Product Specification
2SA1232
MIN TYP. MAX UNIT
-0.6 -1.5
V
-1.3 -2.0
V
-50 μA
-50 μA
60 320
40
250 pF
60 MHz
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1232SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SA1232POWER TRANSISTORInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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