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2SA1262 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - POWER TRANSISTOR - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA1262
समारोह POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA1262?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1262 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ,IB=0
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A
ICBO Collector cut-off current
VCB=-60V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=-6V; IC=0
hFE DC current gain
IC=-1A ; VCE=-4V
fT Transition frequency
IE=0.2A ; VCE=-12V
Cob Output capacitance
IE=0 ; VCB=-10V ;f=1MHz
Switching times
ton Turn-on time
ts Storage time
tf Fall time
IC=-2A ;IB1=- IB2=-0.2A
RL=10Ω;VCC=-20V
Product Specification
2SA1262
MIN TYP. MAX UNIT
-60 V
-0.6 V
-100 μA
-100 μA
40
15 MHz
90 pF
0.25 μs
0.75 μs
0.25 μs
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1261PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORETC
ETC
2SA1261SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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