DataSheet.in

BD683 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - SILICON POWER TRANSISTOR - SavantIC

भाग संख्या BD683
समारोह SILICON POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स SavantIC 
लोगो SavantIC लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=BD683?> डेटा पत्रक पीडीएफ

BD683 pdf
SavantIC Semiconductor
Silicon NPN Power Transistors
Product Specification
BD683
CHARACTERISTICS
www.datTasj=h2ee5t4u.ucnomless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1.5A; IB=6mA
VBE Base-emitter on voltage
IC=1.5A ; VCE=3V
ICBO Collector cut-off current
VCB=120V; IE=0
ICEO Collector cut-off current
VCE=60V; IB=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=5V; IC=0
hFE-1
DC current gain
IC=500mA ; VCE=3V
hFE-2
DC current gain
IC=1.5A ; VCE=3V
hFE-3
DC current gain
IC=4A ; VCE=3V
ton Turn-on time
toff Turn-off time
IC=1.5A;IB1=-IB2=6mA
VCC=30V
MIN TYP. MAX UNIT
2.5 V
2.5 V
0.2 mA
0.2 mA
5 mA
2200
750
1500
0.8 2
µs
4.5 8
µs
2

विन्यास 3 पेज
डाउनलोड[ BD683 Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
BD680Plastic Medium-Power Silicon PNP DarlingtonsMotorola  Inc
Motorola Inc
BD680DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICONON Semiconductor
ON Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English