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2SC3026 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - SILICON POWER TRANSISTOR - SavantIC

भाग संख्या 2SC3026
समारोह SILICON POWER TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स SavantIC 
लोगो SavantIC लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC3026?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC3026 pdf
SavantIC Semiconductor
Silicon NPN Power Transistors
www.DataSheet4U.com
CHARACTERISTICS
Tj=25 unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ;RBE=9
V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage
IE=10mA; IC=0
VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=1.25A
VBE(sat) Base-emitter saturation voltage
IC=5A; IB=1.25A
ICES Collector cut-off current
VCE=1700V; RBE=9
Switching times
ts Storage time
tf Fall time
IC=5A; IB1=1A;IB2=-2.5A
Product Specification
2SC3026
MIN TYP. MAX UNIT
800 V
6V
2.0 V
1.5 V
0.5 mA
4.0 µs
0.5 µs
2

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC3020NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor
2SC3021NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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