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2SC3110 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Power Transistor - Inchange

भाग संख्या 2SC3110
समारोह Silicon Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange 
लोगो Inchange लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC3110?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC3110 pdf
INCHANGE Semiconductor
iscwww.DaStaSilhieceto4Un.coNm PN RF Transistor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
isc RF Product Specification
2SC3110
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
ICBO Collector Cutoff Current
IEBO Emitter Cutoff Current
VCB= 10V; IE= 0
VEB= 2V; IC= 0
0.1 μA
1 μA
hFE DC Current Gain
IC= 10mA ; VCE= 10V
40
fT
Current-Gain—Bandwidth Product
IE= -10mA ; VCE= 10V
4.5 GHz
COB Output Capacitance
S21e2 Insertion Power Gain
GUM Power Gain
IE= 0; VCB= 10V; f= 1.0MHz
1.2 pF
IC= 20mA; VCE= 10V; f= 0.8GHz
9 12
12 14
dB
dB
NF Noise Figure
IC= 5mA; VCE= 10V; f= 0.8GHz
1.3 2.5 dB
isc Websitewww.iscsemi.cn
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC3110Silicon Power TransistorInchange
Inchange
2SC3112TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLIFIER AND SWITCHING APPLICATIONS)Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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