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3DD303B डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Power Transistor - Inchange

भाग संख्या 3DD303B
समारोह Silicon Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange 
लोगो Inchange लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=3DD303B?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD303B pdf
INCHANGE Semiconductor
iscwww.DaStaSilhieceto4Un.coNm PN Power Transistor
isc Product Specification
3DD303B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA; IB=B 0
60 V
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 1mA; IC= 0
6V
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= 1mA; IE= 0
100 V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 0.5A; IB= 50mA
0.6 V
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 3A; IB=B 0.3A
1.5 V
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 50V; IE= 0
0.5 mA
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 50V; IB=B 0
0.5 mA
hFE DC Current Gain
IC= 0.5A; VCE= 5V
50 200
isc Websitewww.iscsemi.cn
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD303ASilicon Power TransistorInchange
Inchange
3DD303BSilicon Power TransistorInchange
Inchange


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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