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डेटा पत्रक - (2SA907 - 2SA909) Silicon PNP Power Transistors - Huandong

भाग संख्या 2SA908
समारोह (2SA907 - 2SA909) Silicon PNP Power Transistors
मैन्युफैक्चरर्स Huandong 
लोगो Huandong लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA908?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA908 pdf
Huandong Electronics
wSwiwl.iDcatoaSnheePt4NU.cPomPower Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25 unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO
Collector-emitter
breakdown voltage
2SA907
2SA908 IC=-50mA ;IB=0
2SA909
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-10A; IB=-1A
2SA907 VCB=-100V; IE=0
ICBO Collector cut-off current 2SA908 VCB=-150V; IE=0
2SA909 VCB=-200V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
hFE DC current gain
fT Transition frequency
VEB=-6V; IC=0
IC=-5A ; VCE=-4V
IC=-0.5A ; VCE=-12V
Product Specification
2SA907/908/909
MIN TYP. MAX UNIT
-100
-150 V
-200
-3.0 V
-1.0 mA
-1.0 mA
30
10 MHz
2

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA900SILICON PNP EPITAXIAL PLANARPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SA900Silicon POwer TransistorsSavantIC
SavantIC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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