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C3779 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - 2SC3779 - Sanyo Semicon Device

भाग संख्या C3779
समारोह 2SC3779
मैन्युफैक्चरर्स Sanyo Semicon Device 
लोगो Sanyo Semicon Device लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=C3779?> डेटा पत्रक पीडीएफ

C3779 pdf
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Parameter
Forward Transfer Gain
Maximum Available Power Gain
Noise Figure
2SC3779
Symbol
Conditions
| S21e |2
MAG
NF
VCE=10V, IC=20mA, f=0.9GHz
VCE=10V, IC=20mA, f=0.9GHz
VCE=10V, IC=5mA, f=0.9GHz,
See specified Test Circuit.
Ratings
min typ
8.5 10
14
1.5
max
3.0
Unit
dB
dB
dB
NF Test Circuit
3
VB
INPUT
2k
C1 L1
C2 C3
1
VCC
CH
L2
L3
C4 C5
OUTPUT
2
900MHz
C1 ~5pF
C2 ~10pF
C3 ~10pF
C4 ~10pF
C5 ~10pF
L1 W 1.5mm, l 25mm
Strip line
L2 W 4mm, l 25mm
Strip line
L3 0.5φ, l 40mm
CH 2t+bead core
IC -- VBE
120
VCE=10V
100
80
60
40
20
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Base-to-Emitter Voltage, VBE V ITR05986
hFE -- IC
3
VCE=10V
2
100
7
5
3
2
10
5 7 1.0
2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2
Collector Current, IC mA
ITR05987
No.1954–2/5

विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
C37702SC3770Sanyo
Sanyo
C37712SC3771Sanyo
Sanyo


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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