DataSheet.in

2SC3012 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR - ETC

भाग संख्या 2SC3012
समारोह PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स ETC 
लोगो ETC लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC3012?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC3012 pdf
SavantIC Semiconductor
Silicon NPN Power Transistors
Product Specification
2SC3012
CHARACTERISTICS
Tj=25 unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A
VBEsat
Base-emitter saturation voltage
IC=5A; IB=0.5A
ICBO Collector cut-off current
VCB=130V; IE=0
www.DataSheeIEtB4OU.comEmitter cut-off current
VEB=3V; IC=0
hFE-1
DC current gain
IC=2A ; VCE=5V
hFE-2
DC current gain
IC=5A ; VCE=5V
Cob Output capacitance
IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz
fT Transition frequency
IC=1A ; VCE=5V
MIN TYP. MAX UNIT
0.6 1.5
V
1.3 2.0
V
50 µA
50 µA
60 320
40
150 pF
60 MHz
hFE-1 Classifications
RQ
P
60-120 100-200 160-320
2

विन्यास 3 पेज
डाउनलोड[ 2SC3012 Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC3011Silicon NPN epitaxial planer TransistorToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SC3011Silicon NPN EpitaxialKexin
Kexin


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English