DataSheet.in

C3886A डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - 2SC3886A - Toshiba Semiconductor

भाग संख्या C3886A
समारोह 2SC3886A
मैन्युफैक्चरर्स Toshiba Semiconductor 
लोगो Toshiba Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=C3886A?> डेटा पत्रक पीडीएफ

C3886A pdf
Huandong Electronics
Silicon NPN Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25 unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=5mA ;IB=0
www.DataSheet4U.VcCoEmsat
VBEsat
Collector-emitter saturation voltage IC=6A ;IB=1.5A
Base-emitter saturation voltage
IC=6A ;IB=1.5A
ICBO Collector cut-off current
VCB=1500V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=5V; IC=0
hFE DC current gain
IC=1A ; VCE=5V
fT Transition frequency
IC=0.1A ; VCE=10V
COB Collector output capacitance
IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz
ts Storage time
tf Fall time
Resistive load
ICP=6A ;IB1=-IB2=1.2A
RL=33.3
Product Specification
2SC3886A
MIN TYP. MAX UNIT
600 V
5.0 V
1.5 V
1.0 mA
10 A
8 15
13
MHz
210 pF
2.5 s
0.15 s
2

विन्यास 3 पेज
डाउनलोड[ C3886A Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
C3886 2SC3886SavantIC
SavantIC
C3886A2SC3886AToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English