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HE8812SG डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - GaAlAs Infrared Emitting Diode - Hitachi Semiconductor

भाग संख्या HE8812SG
समारोह GaAlAs Infrared Emitting Diode
मैन्युफैक्चरर्स Hitachi Semiconductor 
लोगो Hitachi Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=HE8812SG?> डेटा पत्रक पीडीएफ

HE8812SG pdf
HE8812SG
Absolute Maximum Ratings
(TC = 25°C)
Item
Forward current
Reverse voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
IF
VR
Topr
Tstg
Value
250
3
–20 to +60
–40 to +90
Unit
mA
V
°C
°C
Optical and Electrical Characteristics
(TC = 25°C)
Item
Symbol Min Typ Max Unit
Optical output power PO
Peak wavelength
λp
40 — — mW
840 870 900 nm
Spectral width
∆λ — 50 60 nm
Forward voltage
Reverse current
Capacitance
VF
IR
Ct
— — 2.5 V
— — 100 µA
— 30 — pF
Rise time
Fall time
tr — 10 — ns
tf — 10 — ns
Test Conditions
IF = 200 mA
IF = 200 mA
IF = 200 mA
IF = 200 mA
VR = 3 V
VR = 0 V, f = 1 MHz
IF = 50 mA
IF = 50 mA
Rev.1, Jan. 2003, page 2 of 6

विन्यास 6 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
HE8812SGGaAlAs Infrared Emitting DiodeHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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