DataSheet.in

RD12MVS1 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon RF Power MOS FET - Mitsubishi Electric

भाग संख्या RD12MVS1
समारोह Silicon RF Power MOS FET
मैन्युफैक्चरर्स Mitsubishi Electric 
लोगो Mitsubishi Electric लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=RD12MVS1?> डेटा पत्रक पीडीएफ

RD12MVS1 pdf
< Silicon RF Power MOS FET (Discrete) >
RD12MVS1
RoHS Compliant, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 12W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C, UNLESS OTHERWISE NOTED)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
LIMITS
MIN. TYP. MAX.
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=17V, VGS=0V
- - 10
IGSS Gate to Source Leak Current VGS=10V, VDS=0V
- -1
VTH
Pout
D
Gate Threshold Voltage
Output Power
Drain Efficiency
VDS=12V, IDS=1mA
f=175MHz,VDD=7.2V
Pin=1.0W,Idq=1.0A
1.8 - 4.4
11.5 12
-
55 57
-
Load VSWR tolerance
VDD=9.2V,Po=12W(Pin Control)
f=175MHz,Idq=1.0A,Zg=50
Load VSWR=20:1(All Phase)
Not destroy
Note: Above parameters, ratings, limits and conditions are subject to change.
UNIT
uA
uA
V
W
%
-

विन्यास 9 पेज
डाउनलोड[ RD12MVS1 Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
RD12MVS1Silicon RF Power MOS FETMitsubishi Electric
Mitsubishi Electric


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English