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डेटा पत्रक - (DSEA16-06BC / DSEC16-06BC) HiPerDynFRED Epitaxial Diode ISOPLUS220 - IXYS Corporation

भाग संख्या DSEC16-06BC
समारोह (DSEA16-06BC / DSEC16-06BC) HiPerDynFRED Epitaxial Diode ISOPLUS220
मैन्युफैक्चरर्स IXYS Corporation 
लोगो IXYS Corporation लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
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DSEC16-06BC pdf
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DSEA 16-06BC
DSEC 16-06BC
30
A
25
IF 20
TVJ = 150°C
15 TVJ = 100°C
10
5
0 TVJ = 25°C
0 1 2 3V
VF
Fig. 1. Forward current IF versus VF
2.0
1.5
Kf
1.0
IRM
0.5
Qr
0.0
0
40 80 120 C 160
TVJ
Fig. 4. Dynamic parameters Qr, IRM
versus TVJ
10
K/W
1
ZthJC
0.1
250
nC
200
Qr
150
100
TVJ = 100°C
VR = 300 V
IF = 5 A
IF = 10 A
IF = 20 A
50
0
100 A/µs 1000
-diF/dt
Fig. 2. Reverse recovery charge Qr
versus -diF/dt
ns
100
trr
80
60
TVJ = 100°C
VR = 300 V
IF = 5 A
IF = 10 A
IF = 20 A
40
0 200 400 600 A8/0µ0s 1000
-diF/dt
Fig. 5. Recovery time trr versus -diF/dt
10
A
IRM 8
6
IF = 5 A
IF = 10 A
IF = 20 A
4
TVJ = 100°C
VR = 300 V
2
0
0 200 400 600 A80/µ0s 1000
-diF/dt
Fig. 3. Peak reverse current IRM
versus -diF/dt
60
V
TVJ = 100°C
IF = 10 A
VFR
40
0.3
µs
tfr
0.2
20
VFR
tfr 0.1
0 0.0
0 200 400 600 A80/µ0s 1000
diF/dt
Fig. 6. Peak forward voltage VFR and
tfr versus diF/dt
Constants for ZthJC calculation:
i
Rthi (K/W)
ti (s)
1 1.449
0.0052
2
0.5578
0.0003
3
0.4931
0.0169
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
Fig. 7. Transient thermal resistance junction-to-case
© 2005 IXYS All rights reserved
DSEP 8-06B
0.1 s
t
1
NOTE: Fig. 2 to Fig. 6 shows typical values

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
DSEC16-06BC(DSEA16-06BC / DSEC16-06BC) HiPerDynFRED Epitaxial Diode ISOPLUS220IXYS Corporation
IXYS Corporation


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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