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2MBI100N-060 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - IGBT MODULE - Fuji

भाग संख्या 2MBI100N-060
समारोह IGBT MODULE
मैन्युफैक्चरर्स Fuji 
लोगो Fuji लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
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2MBI100N-060 pdf
2MBI100N-060
Characteristics (Representative)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj=25°C
200
150
100
50
0
012345
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
IGBT Module
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj=125°C
200
150
100
50
0
012345
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
10
8
6
4
2
0
0
1000
Collector-Emitter vs. Gate-Emitter voltage
Tj=25°C
5 10 15
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
20
Switching time vs. Collector current
Vcc=300V, RG=24 ohm, VGE=±15V, Tj=25°C
10
8
6
4
2
0
25 0
1000
Collector-Emitter vs. Gate-Emitter voltage
Tj=125°C
5 10 15 20
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
25
Switching time vs. Collector current
Vcc=300V, RG=24 ohm, VGE=±15V, Tj=125°C
100 100
10
0
25 50
75 100 125 150
Collector current : Ic [A]
10
0
25 50
75 100 125 150
Collector current : Ic [A]

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2MBI100N-060IGBT MODULEFuji
Fuji


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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