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FJN3309R डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - NPN Epitaxial Silicon Transistor - Fairchild Semiconductor

भाग संख्या FJN3309R
समारोह NPN Epitaxial Silicon Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Fairchild Semiconductor 
लोगो Fairchild Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=FJN3309R?> डेटा पत्रक पीडीएफ

FJN3309R pdf
Typical Characteristics
10000
1000
V = 5V
CE
R = 4.7K
100
10
0.1 1 10
I [mA], COLLECTOR CURRENT
C
Figure 1. DC current Gain
100
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25 50 75 100 125 150
T [oC], AMBIENT TEMPERATURE
a
175
Figure 3. Power Derating
1000
100
IC = 10IB
R = 4.7K
10
1
1 10 100
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
FJN3309RNPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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