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RGTVX6TS65 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - 650V 80A Field Stop Trench IGBT - ROHM

भाग संख्या RGTVX6TS65
समारोह 650V 80A Field Stop Trench IGBT
मैन्युफैक्चरर्स ROHM 
लोगो ROHM लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=RGTVX6TS65?> डेटा पत्रक पीडीएफ

RGTVX6TS65 pdf
RGTVX6TS65
Thermal Resistance
Parameter
Thermal Resistance IGBT Junction - Case
Datasheet
Symbol
Rθ(j-c)
Values
Min. Typ. Max.
Unit
- - 0.37 °C/W
IGBT Electrical Characteristics (at Tj = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ.
Max.
Collector - Emitter Breakdown
Voltage
BVCES IC = 10μA, VGE = 0V
650
-
-
Unit
V
Collector Cut - off Current
ICES VCE = 650V, VGE = 0V
-
- 10 μA
Gate - Emitter Leakage Current
IGES VGE = 30V, VCE = 0V
-
- ±200 nA
Gate - Emitter Threshold
Voltage
Collector - Emitter Saturation
Voltage
VGE(th) VCE = 5V, IC = 57.1mA 5.0
IC = 80A, VGE = 15V
VCE(sat) Tj = 25°C
Tj = 175°C
-
-
6.0
1.5
1.85
7.0
1.9
-
V
V
www.rohm.com
© 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/9
2017.05 - Rev.A

विन्यास 10 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
RGTVX6TS65650V 80A Field Stop Trench IGBTROHM
ROHM


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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