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2SA1217 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - SILICON PNP EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR - Toshiba

भाग संख्या 2SA1217
समारोह SILICON PNP EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Toshiba 
लोगो Toshiba लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA1217?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1217 pdf
1)
2SA1217
-3.2
-2.8
<
-2.4
H
-2.0
S
-1.6
O
oH -1.2
O
-0i8
o
-0.4
ic V CE
1 | -80 -60
COMMON
-100/
EMITTER
-40 . Tc = 25°C
?n
lB = — 10mA
01
-08 -1j6 -2.4 -3.2 -40 -4.8 -&e
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V r (V)
I c V BE
? 8 COMMON
EMITTER
? 4 V CE = -2V
2
1 fi
1,2
08
0.4
„C_)/"
Ol
ml
Ml
1
I
wm
II J / 1
-0.2-0.4-0.6 -0.8 -ID -1.2 -1.4 -1.6 -l.i
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V'
P C - Tc
®1
1 a ==Tc INFINITE HEAT SINK
n (Z) Nu HEAT SINK
R
h FE - Ic
500
300
Tr i nn°r
COMMON EMITTER
VGE = -2V
-aoi
.^i
-25
-~- ^-
-ao3
-0.1
-as
COLLECTOR CURRENT
^
!, ^^-1S
v
vv
vVs
\
-i
I c (a)
V CE(sat)
1
- COMMON EMITTER
Uh I I /I B =10
- ic
3> 3
ai
0.05
o
HH
ho e>
<:
O03
^
o
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o>
a-oQi01
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YA>
25
25
-0.03 -Ql -03
-1
COLLECTOR CURRENT I c (a)
SAFE OPERATING AREA
p,
4
2
(§)
20 40 60 80 100 120 140 160
AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C
-3 —10 -30 -1
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V CB (v)
111111111111111,1
Illllllim
"
mi
Hiiiiiiiiiiii
iiiiini
iiiiiiiiiiiiiii
iiiiinii
iiniiiii
iiiiuii
ii milium
-199-
IIM niini TOSHIBA CORPORATION

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1210Epitaxial Planar Silicon TransistorSanyo
Sanyo
2SA1213Silicon PNP Epitaxial Type TransistorToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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