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2SC3297 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR - Toshiba

भाग संख्या 2SC3297
समारोह SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR
मैन्युफैक्चरर्स Toshiba 
लोगो Toshiba लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC3297?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC3297 pdf
2SC3297
-C _ V CE
40 30
20
COMMON EMITTER
Tc = 2 5°C
.15
JO
8
1.0
5
= 3nlA
o
1.6 3.2 4.8 6.4
ao
COLLECTOR- -EMITTER V0LTA3E V C E v( '
1000
500
300
hF E IC
T'
I! COl'MIN BTMTTTF.R
T
i: v GF -2v
To = 75"C
25
COLLECTOR CURRENT
(A)
PC - Ta
=T -* la
INFINITE HEAT SINK
a&
"0 20 40 60 80 100 120 140 160
AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C)
2.5
o
z
O
* 1-0
o
O
« Q5
IC - V BE
/j
//
/ /Tj
/
f
O
IT)
o
1
K
l
O/
V
1
COMMON
EMITTER
V CE=2V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)
v CE(sat) - *C
-
: common emitter
as
;
ic/ib=io
Q3
--5
T
T
T
1
^\Avai
::
a 05 ,^&t^^ 25
a 03
J E-
OO
O>
0.003 a oi
0.03
ai a3
1
COLLECTOR CURRENT I c (a)
SAFE OPERATING AREA
1 -TT 1
cI'. MAX (PULSED j*
1
I c MAX
11
(CONTINUOUS)
*A\v-
5
4>
«
*1
o
u
?
%h
Ar\
«
oH
t)
Oh \1
-SC- SINGLE NONREPETITIVE
N
J U3
PULSE To = 2 5°C
13LINEiiRL^f W ITH IN CREASE
IN Tl^MPE,RA TU R E
L_l_l
10
<
s
o
o
>
i
30
100
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
TOSHIBA CORPORATION
605

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC3292NPN Planar Type Silicon Darlington TransistorSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SC3293NPN Planar Silicon Darlington TransistorSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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