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BL2311 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - P-Channel Power Mosfet - GME

भाग संख्या BL2311
समारोह P-Channel Power Mosfet
मैन्युफैक्चरर्स GME 
लोगो GME लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=BL2311?> डेटा पत्रक पीडीएफ

BL2311 pdf
Production specification
P-Channel Enhancement Mode Power Mosfet
BL2311
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Parameter
Symbol Test conditions
MIN TYP MAX UNIT
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Gate-body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V(BR)DSS
VGS(th)
gfs
IGSS
IDSS
VGS=0V,ID=-250μA
VDS=VGS, ID=-250μA
VDS=-5V,ID=-2.8A
VDS=0V, VGS=8V
VDS=0V, VGS=-8V
VDS=-12V, VGS=0V
-20 -
-
-0.5 -0.75 -1.2
-9-
- - 100
- - -100
- - -1
V
S
nA
μA
On state drain current
ID(ON)
VDS=-5V,VGS=-4.5V
-30 - - A
Drain-Source on-resistance
Diode forward voltage
RDS(ON)
VSD
VGS=-10V,ID=-4.5A
VGS=-4.5V,ID=-4.2A
VGS=-2.5V,ID=-2.0A
VGS=-1.8V,ID=-1.0A
VGS=0V,IS=-1.2A
- - 53
- - 65
- - 100
- - 250
- - -1.2 V
Maximum Body-Diode Continuous
Current
IS
-2 A
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Qg
Qgs
Qgd
VDS=-16V,VGS=-4.5V,
ID=-4.2A
- 10.6 -
- 2.32 -
- 3.68 -
nC
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
CISS
COSS
CRSS
tD(ON)
tR
tD(OFF)
tR
Trr
Qrr
VDS=-15V,VGS=0V,f=1.0MHz
VDS = -15V, ID= -4.2A,
RG= 6Ω, VGS= -10V,
RD= 3.6Ω
IS=-4.2A,VGS=0
dI/dt=100A/us
- 740 -
- 167 -
- 126 -
- 5.9 -
- 3.6 -
- 32.4 -
- 2.6 -
- 27.7 -
- 22 -
pF
ns
ns
nC
C336
Rev.A
www.gmesemi.com
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
BL2311P-Channel Power MosfetGME
GME
BL2312N-Channel Power MosfetGME
GME


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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