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2SC1766 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - NPN Epitaxial Transistor - GME

भाग संख्या 2SC1766
समारोह NPN Epitaxial Transistor
मैन्युफैक्चरर्स GME 
लोगो GME लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC1766?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC1766 pdf
Production specification
NPN Epitaxial Transistor
2SC1766
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Parameter
Symbol Test conditions
MIN TYP MAX
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
ICBO
IEBO
VCB=50V,IE=0
VEB=5V,IC=0
0.1
0.1
DC current gain
VCE=2V,IC=500mA
82
hFE VCE=2V,IC=2A
20
390
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
IC=1A, IB=50mA
IC=1A, IB=50mA
VCE=2V,Ic=0.5A
f=100MHz
0.5
1.2
120
Collector output capacitance
Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
40
UNIT
μA
μA
V
mV
MHz
pF
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Range
MARKING
P
82-180
P1766
Q
120-270
Q1766
Y
180-390
Y1766
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
E049
Rev.A
www.gmesemi.com
2

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC1760TransistorSony Corporation
Sony Corporation
2SC1763SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE TRANSISTORToshiba
Toshiba


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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