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3DD4030A3 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN bipolar transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD4030A3
समारोह Silicon NPN bipolar transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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<?=3DD4030A3?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD4030A3 pdf
3DD4030 A3
R
电特性 (除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=800V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=1A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=1A
IC=1A, IB=0.2A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=1A, IB=0.2A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.5A
下降时间
tf
征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 15~20~25~30~35
有害物质说明
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
400
9
15 35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.6 0.75
0.3 0.6 V
1 1.5 V
2 5 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
害物质或元素
邻苯二
邻苯二
件名称
多溴 多溴二
邻苯二
镉 六价铬
甲酸二
甲酸二
联苯 苯醚
甲酸酯
含量要求Pb Hg Cd Cr(VI)
异丁酯
丁酯
PBB PBDE
DEHP
DIBP DBP
引线框
0.1%
0.1%
0.01%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
管芯
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
邻苯二
甲酸丁
苄酯
BBP
0.1%
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2/4

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD4030A3Silicon NPN bipolar transistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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