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3DD13003HA1 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN bipolar transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD13003HA1
समारोह Silicon NPN bipolar transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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3DD13003HA1 pdf
3DD13003 HA1
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=750V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.1A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.1A
IC=0.2A, IB=40mA
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.2A, IB=40mA
贮存时间
ts UI9600IC=0.25A
上升时间
下降时间
tr
tf
UI9600IC=0.1A
征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
* 脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
最小 典型 最大
5
5
5
750
450
9
20 35
单位
μA
μA
μA
V
V
V
0.75 0.9
0.2 0.45 V
0.85 1.05 V
0.3 2 μs
1 μs
0.7 μs
4 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
Hg
引线框
0.1% 0.1%
○○
Cd
0.01%
六价铬
Cr(VI)
0.1%
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
邻苯二
甲酸二
异丁酯
DIBP
0.1% 0.1%
○○
邻苯二
甲酸酯
DEHP
0.1%
邻苯二 邻苯二
甲酸二 甲酸丁
丁酯 苄酯
DBP BBP
0.1% 0.1%
○○
塑封树脂
○○
管芯
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
说明
:表示该元素含量2011/65/EU 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 2011/65/EU 标准的限量要求。
目前产品的焊料中Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2016V01
2/5

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD13003HA1Silicon NPN bipolar transistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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