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3DD3015A1-H डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN bipolar transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD3015A1-H
समारोह Silicon NPN bipolar transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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<?=3DD3015A1-H?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD3015A1-H pdf
3DD3015 A1-H
R
电特性(除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
发射极向电流传输比的静态
小电流hFE1 与大电流hFE2
*-集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
贮存时间
上升时间
下降时间
征频
a: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
ICBO
ICEO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFEa
hFE1/
hFE2
VCE
a
sat
VBE
a
sat
ts
tr
tf
fT
VCB=800V, IE=0
VCE=450V, IB=0
VEB=9V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=0.2A
VCE=5V, IC=0.5A
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=0.5A, IB=0.1A
IC=0.5A, IB=0.1A
UI9600IC=0.1A
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
最大
0.1
0.1
0.1
800
450
9
15 40
10 35
0.75 0.9
0.25 0.5
1 1.5
25
1
1
5
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
μs
μs
μs
MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
引线框
Pb
0.1%
Hg
0.1%
Cd
0.1%
六价铬
Cr(VI)
0.1%
多溴联苯
(PBB)
0.1%
多溴二苯醚
PBDE
0.1%
塑封树脂
内引线
说明
:表示该有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的量要求以下。
×:表示该有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的量要求。
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2/6

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD3015A1-HSilicon NPN bipolar transistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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