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BD226 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - INCHANGE

भाग संख्या BD226
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स INCHANGE 
लोगो INCHANGE लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=BD226?> डेटा पत्रक पीडीएफ

BD226 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BD226/228/230
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEO(SUS)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
BD226
BD228 IC= 100mA ; IB= 0
BD230
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 0.1A
VBE(on) Base-Emitter On Voltage
ICBO Collector Cutoff Current
IEBO Emitter Cutoff Current
IC= 1A; VCE= 2V
VCB= 30V; IE= 0
VCB= 30V; IE= 0,TC=125
VEB= 5V; IC=0
hFE-1
DC Current Gain
IC= 5mA ; VCE= 2V
hFE-2
DC Current Gain
IC= 1A ; VCE= 2V
hFE-3
DC Current Gain
IC= 0.15A ; VCE= 2V
fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 50mA ; VCE= 5V
MIN TYP. MAX UNIT
45
60 V
80
0.8 V
1.3 V
0.1
10
μA
10 μA
25
25
40 250
125 MHz
isc websitewww.iscsemi.cn
2

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
BD220TRANSISTORNational Semiconductor
National Semiconductor
BD220TRANSISTORSemiconductors
Semiconductors


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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