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AIS6C80 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - 3 Quadrants Triacs - ADV

भाग संख्या AIS6C80
समारोह 3 Quadrants Triacs
मैन्युफैक्चरर्स ADV 
लोगो ADV लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=AIS6C80?> डेटा पत्रक पीडीएफ

AIS6C80 pdf
 
ADV 
                                                                        AIS6C60/80
Electrical Characteristics ( Tj = 25°C unless otherwise specified )
Symbol
Items
Conditions
AIS6C60/80
Unit
IDRM Peak Forward Reverse Blocking
IRRM
Current
VTM Peak On-State Voltage
VDRM = VRRM, Tj = 25°C
VDRM = VRRM, Tj = 125°C
ITM = 8.5A, tp = 380 μs
Max.
Max.
T
S Blank
5
1
1.55
B
uA
mA
V
VGD
Q1-Q2-Q3
Non Trigger Gate
Voltage
VD = VDRM RL = 3.3 k
Tj = 125°C
Min.
0.2
V
VGT Q1-Q2-Q3 GateTrigger Voltage
Max.
1.3
V
VD = 12V RL = 33
IGT Q1-Q2-Q3 Gate Trigger Current
Max. 5
10 35 50 mA
IH
Q1-Q2-Q3
Holding Current
IT = 0.1A
Max. 10 15 40 60 mA
Q1-Q3
IL Latching Current
Q2
IG = 1.2 IGT
10 25 50 70
Max.
mA
15 30 70 80
dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage
VD = 2/3VDRM gate open
Tj = 125°C
Min.
20
40 400 1000 V/μs
(dV/dt)c
Rate of Change of Commutating
Current,
(dI/dt)c=-2.7A/ms
Tj = 125°C
Min. 0.5 1 10 25 V/μs
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Junction to case (AC)
Junction to ambient
Max. 2.7 °C/W
Max. 60 °C/W
FIG.1:Triac quadrant are defined and the gate trigger test circuit
T2+
Q2(T2+G-)
RL
Q1(T2+G+)
RL
VD VD
A
V
RG
A
V
RG
G-
RL
G+
VD
A
V
RG
Q3(T2-G-)
T2-
 
2/6
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March,2013 -Rev.3.02

विन्यास 6 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
AIS6C803 Quadrants TriacsADV
ADV


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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