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2SA1204 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Planar Epitaxial Transistor - GME

भाग संख्या 2SA1204
समारोह Silicon Planar Epitaxial Transistor
मैन्युफैक्चरर्स GME 
लोगो GME लोगो 
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1 Page
		
<?=2SA1204?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1204 pdf
Production specification
Silicon Planar Epitaxial Transistor
2SA1204
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Parameter
Symbol Test conditions
MIN TYP MAX UNIT
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0
-30
V
Collector cut-off current
ICBO VCB=-35V,IE=0
-0.1 μA
Emitter cut-off current
IEBO
DC current gain
hFE
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
VEB=-5V,IC=0
VCE=-1V,IC=-100mA
VCE=-1V,IC=-700mA
IC=-500mA,IB=-20mA
100
35
-0.1 μA
320
-0.7 V
Base-emitter
VBE
VCE=-1V,IC=-10mA
-0.5
-0.8 V
Transition frequency
fT VCE=-5V, IC=-10mA
120 MHz
Collector output capacitance
Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
19
pF
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Range
Marking
O
100-200
RO
Y
160-320
RY
E039
Rev.A
www.gmicroelec.com
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1200SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SA1200PNP TransistorsKexin
Kexin


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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