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2SC3356 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon Epitaxial Planar Transistor - GME

भाग संख्या 2SC3356
समारोह Silicon Epitaxial Planar Transistor
मैन्युफैक्चरर्स GME 
लोगो GME लोगो 
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1 Page
		
<?=2SC3356?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC3356 pdf
Production specification
Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SC3356
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Parameter
Symbol Test conditions
MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=10μA,IE=0
20
V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0
12
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO IE=10μA,IC=0
3
V
Collector cut-off current
ICBO
VCB=10V,IE=0
1 μA
Emitter cut-off current
DC current gain
Transition frequency
Insertion power gain
Feed-back capacitance
Noise Figure
IEBO
VEB=1V,IC=0
hFE
fT
|S21e|2
Cre
NF
VCE=10V,IC=20mA
VCE=10V,IC= 20mA
VCE=10V, IC= 20mA ,
f=1GHz
VCB=10V, IE=0,f=1MHz
VCE=10V,IC=7mA,
f=1GHz
1 μA
50 120 300
7 GHz
11.5 dB
0.55 1.0 pF
1.1 2.0 dB
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Q
Range
50-100
Marking
R23
R
80-160
R24
S
125-250
R25
C142
Rev.A
www.gmicroelec.com
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC3352SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SC3352NPN TransistorPanasonic
Panasonic


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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