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WSB5539N डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Schottky Barrier Diode - WillSEMI

भाग संख्या WSB5539N
समारोह Schottky Barrier Diode
मैन्युफैक्चरर्स WillSEMI 
लोगो WillSEMI लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=WSB5539N?> डेटा पत्रक पीडीएफ

WSB5539N pdf
WSB5539N
Typical characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
1
T=150oC
T=125oC
0.1 T=85oC
T=65oC
0.01
T=25oC
T=0oC
T=-50oC
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
T=85oC
T=150oC
T=125oC
T=65oC
T=25oC
T=0oC
T=-50oC
1E-3
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Forward Voltage (V)
Forward voltage vs. Forward current
1E-3
5
10 15 20 25 30 35 40
Reverse Voltage (V)
Reverse current vs. Reverse voltage
80
f = 1MHz
70
60
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Reverse Voltage (V )
Junction capacitance vs. Reverse voltage
Will Semiconductor Ltd.
2 2014/9/10 – Rev. 1.0

विन्यास 3 पेज
डाउनलोड[ WSB5539N Datasheet.PDF ]


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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
WSB5539NSchottky Barrier DiodeWillSEMI
WillSEMI


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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