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WSB5512M डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Schottky Barrier Diode - WillSEMI

भाग संख्या WSB5512M
समारोह Schottky Barrier Diode
मैन्युफैक्चरर्स WillSEMI 
लोगो WillSEMI लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=WSB5512M?> डेटा पत्रक पीडीएफ

WSB5512M pdf
Absolute maximum ratings
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at TL(Fig.2)
Peak forward surge current 8.3ms single half-sine-wave
Operating temperature range
Storage temperature range
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum thermal resistance (Junction to Lead)(Fig.2)
Electronics characteristics (TA=25oC)
Parameter
Maximum instantaneous forward voltage @IF=5.0A*
Maximum reverse current @ VDC (TJ=25oC)
Maximum reverse current @ VDC (TJ=100oC)
*: Pulse test, Pulse width 300us, duty cycle 1 %
WSB5512M
Symbol
VRRM
VRWS
VDC
IF(AV)
IFSM
TJ
TSTG
Value
40
28
40
5.0
150
-55 ~ 125
-55 ~ 150
Unit
V
V
V
A
A
oC
oC
Symbol
RθJL
Value
14
Unit
oC/W
Symbol
VF
IR
IR
Value
0.55
0.5
50
Unit
V
mA
mA
Will Semiconductor Ltd.
2 Jan, 2014 - Rev. 1.3

विन्यास 4 पेज
डाउनलोड[ WSB5512M Datasheet.PDF ]


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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
WSB5512MSchottky Barrier DiodeWillSEMI
WillSEMI


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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