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WSB5511M डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Schottky Barrier Diode - WillSEMI

भाग संख्या WSB5511M
समारोह Schottky Barrier Diode
मैन्युफैक्चरर्स WillSEMI 
लोगो WillSEMI लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=WSB5511M?> डेटा पत्रक पीडीएफ

WSB5511M pdf
Typical characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
WSB5511M
+150oC
1 +125oC
0.1
+85oC
+65oC
+25oC
0.01
1E-3
0.0
0oC
-50oC
0.2 0.4
Forward Voltage(V)
100000
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
1E-3
0.6 5
+125oC
+85oC
+65oC
+25oC
0oC
-50oC
10 15 20 25 30 35 40
Reverse Voltage(V)
Fig.1 Forward voltage vs. Forward current
Fig.2 Reverse current vs. Reverse voltage
4 1000
3 800
600
2
400
1 200
0
0 25 50 75 100 125 150
Lead temperature(oC)
Fig.3 Maximum Forward Current Derating Curve
0
0 5 10 15 20 25
Reverse Voltage(V)
Fig.4 Junction capacitance vs. Reverse voltage
Will Semiconductor Ltd.
2 May, 2014 - Rev. 1.5

विन्यास 3 पेज
डाउनलोड[ WSB5511M Datasheet.PDF ]


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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
WSB5511MSchottky Barrier DiodeWillSEMI
WillSEMI


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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