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DG4N60 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET - DGME

भाग संख्या DG4N60
समारोह N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स DGME 
लोगो DGME लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=DG4N60?> डेटा पत्रक पीडीएफ

DG4N60 pdf
绝对最大额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25)
参数名称
Parameter
漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Continues Drain Current
最大脉冲漏极电流 (1)
Plused Drain Current (note1)
最高栅源电压
Gate-to-Source Voltage
单脉冲雪崩能量 (2)
Single Pulsed Avalanche Energy (note2)
雪崩电流 (1)
Avalanche Current (note1)
重复雪崩能量 (1)
Repetitive Avalanche Energy (note1)
二极管反向恢复最大电压变化速率 (3)
Peak Diode Recovery (note3)
耗散功率
Power Dissipation
耗散功率减额因子
Power Dissipation Derating Factor
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Temperature for Soldering
符号
Symbol
VDSS
Tc=25
ID
Tc=100
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Tc=P2D5
PD(DF)
Above
25
TO-251/TO-252
TO-220/TO-262
TO-220F
TO-251/TO-252
TO-220/TO-262
TO-220F
TJTSTG
TL
数值
Value
600
4*
2.5*
16
±30
218
4.0
10
4.5
51
100
33
0.39
0.8
0.26
150-55
+150
300
单位
Unit
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
热特性 THERMAL CHARACTERIASTIC
参数名称
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal ResistanceJunction to Case
结到环境的热阻
Thermal ResistanceJunction to Ambient
* 漏极电流由最高结温限制
符号
Symbol
Rth(j-c)
TO-251/TO-252
TO-220/TO-262
Rth(j-A)
TO-220F
TO-251/TO-252
TO-220/TO-262
TO-220F
* Drain current limited by maximum junction temperature
最大
Max
2.5
1.25
3.79
83
62.5
62.5
单位
Unit
W
W/
2 /11

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
DG4N60N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETDGME
DGME
DG4N65N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETDGME
DGME


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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